Hastelloy N合金He离子辐照后的正电子湮没命谱研究

摘要：

　　采用正电子湮没寿命谱方法研究了不同剂量He离子辐照后的HastelloyN合金微结构.He离子能量为4.5 MeV,辐照剂量分别为8× 1014/cm2、3×1015/cm2和1×1016/cm2.辐照后合金存在单空位、双空位、位错和空位团等缺陷.随着辐照剂量的增大,合金中的单双空位和位错增多；高剂量下空位和位错出现了回复现象,单双空位以及位错的浓度逐渐降低,且空位更多地聚集成为空位团；另外,随辐照剂量增加空位团尺寸变大,高剂量下空位团尺寸变小,但空位团的浓度逐渐变大.

关键词： Hastelloy N合金 辐照损伤 位错 缺陷 空位 正电子湮灭寿命

作者: 林建波 何上明 李爱国 余笑寒 曹兴忠 王宝义 李卓昕

作者单位: 中国科学院上海应用物理研究所,上海,201800 中国科学院高能研究所,北京,100049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国正电子湮没谱学会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 37-37

在线出版日期: 2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）