含He钛膜相关缺陷的慢正电子束表征

摘要：

　　通过磁控溅射方法可以调控引入钛膜的He浓度，而且He在钛膜深度范围内均匀分布，这样更有利于研究He在钛膜内的行为。本文采用慢正电子束多普勒展宽谱分析磁控溅射制备的不同含He钛膜中He相关缺陷演化行为。指出，在相同的退火温度下，He的浓度对钛膜内缺陷的行程及演化有着重要的影响。

关键词： 钛膜材料 氦元素 退火处理 结构缺陷 慢正电子束技术

作者: 李悦 刘莉 邓爱红 周冰 王康 王玲 谢莎

作者单位: 四川大学物理科学与技术学院物理系,成都,610064 西南民族大学计算机科学与技术学院,成都,610064

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国正电子湮没谱学会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 67-68

在线出版日期: 2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）