正电子谱学研究纳米氧化镁中铁磁性与界面缺陷的关系
纳米氧化镁样品在6Mpa下压成片状样品，并经过从100℃到1400℃不同温度下退火处理.利用X射线衍射(XRD)，正电子湮没等方法对所得样品进行了微结构表征.XRD测试结果表明：不同温度下退火的氧化镁纳米晶样品的晶体质量和晶粒大小均发生变化，样品的晶粒尺寸从27nm增长到60nm；且当退火温度高于600℃时，晶粒尺寸显著增大；同时随着退火温度升高，晶面为(200)的主峰逐渐变窄和变高，研究结果表明退火过程使得晶体质量逐步提高.
氧化镁 界面缺陷 铁磁性 正电子湮没
王丹丹 陈志权 曹春岳 唐政
武汉大学物理 科学与技术学院,湖北 武汉,430072 华东师范大学,上海,200241
国内会议
成都
中文
82-82
2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）