Si离子注入ZnO产生非晶化的正电子湮没研究
本实验将300keV，总剂量为6×1016cm-2的29Si+在室温下注入到未掺杂的ZnO单晶，并在氮气氛下进行退火处理。采用慢正电子束多普勒展宽，X射线衍射，拉曼光谱，透射电镜和高分辨率透射电镜，光致发光等表征方法对注入后产生的缺陷及热退火效应进行研究。测量结果显示，注入样品在不高于500℃的退火条件下，光致发光测量的紫外和可见光光强都十分微弱，表明29Si+注入严重影响ZnO单晶的晶格排列。透射电镜和高分辨透射电镜结果则直接证明注入后ZnO存在晶体-非晶共存的状态，非晶相的存在是由于注入的Si+离子强烈的化学作用。
氧化锌 离子注入技术 退火处理 正电子湮没 半导体材料
蒋曼 陈志权
武汉大学物理科学与技术学院核固体物理湖北省重点实验室,武汉,430072
国内会议
成都
中文
83-84
2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）