阳离子表面活性剂对多孔二氧化硅薄膜的调制:基于慢束的多普勒展宽谱学研究
以阳离子型表面活性剂CTAB为结构模板,单面抛光Si (100)为基板,采用溶胶-凝胶技术和提拉法,经煅烧制备了多孔二氧化硅薄膜。采用基于慢正电子束的正电子湮没多普勒展宽谱学表征制备的多孔二氧化硅薄膜。(如图1)所示,以CTAB含量为5wt％的薄膜(红色曲线)为例,当入射正电子能量从0keV增加到约1keV时,正电子湮没S参数随之增大,因为越来越多的正电子被注入到含有CTAB的薄膜中并湮没；而随着正电子能量继续增加到约3keV,S参数几乎保持不变。当正电子能量由3keV增加到约7keV时,部分正电子在Si基板表面的SiO2薄层中湮没,致使S参数逐渐减小。
多孔薄膜 二氧化硅薄膜 正电子湮没谱学 表面活性剂
熊帮云 毛文峰 何春清
湖北省核固体物理重点实验室,武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072
国内会议
成都
中文
88-89
2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）