多孔硅发光机理的正电子湮没寿命谱研究
本文采用不同溶液浸泡的方法对孔壁表面进行处理，使用正电子湮没谱学方法，根据电子偶素在样品中的湮没行为，对孔壁经不同处理后的多孔硅样品的微结构进行了研究，对样品的微结构与多孔硅发光性能的关系进行讨论。指出，在去离子水中浸泡的多孔硅样品其孔壁表面含有数量较多的悬挂键，红色可见发光强度较低，但具有紫外发光性能；在乙醇中浸泡的多孔硅样品孔壁表面悬挂键数量较少，其可见光发射强度较高，且没有紫外发光性能。
多孔硅材料 微观缺陷 发光性能 正电子湮没寿命谱
李卓昕 曹兴忠 王宝义 杨静 伍海彪 成国栋 李东翔
中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京,100049
国内会议
成都
中文
91-92
2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）