UHV／CVD系统外延生长锗硅碳三元合金

摘要：

SiGeC三元合金近年来日益成为人们研究的热点之一。碳的加人为SiGe系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性。处于替代位置的碳能缓解SiGe合金的应变，同时调节其能带。该文介绍了用UHV／CVD系统生长的锗硅碳合金，并对实验结果进行了简要分析。

关键词： SiGeC合金 超高真空化学气相沉积系统 透射电子显微镜 二次离子质谱

作者: 亓震 黄靖云

作者单位: 大学硅材料国家重点实验室(杭州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 47～49

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）