晶界对碳化硅辐照缺陷生成的影响

摘要：

　　本文研究了晶界对碳化硅辐照缺陷生成阶段的影响。首先计算了扭转型晶界能量与扭转角度的关系，由计算结果建立了两种较为稳定的含有扭转型晶界的双晶构型。然后对两种构型进行辐照模拟，同时用单晶构型作为对照。本文通过对缺陷分析和统计后发现晶界的存在没有对缺陷的数量和种类造成明显影响，但是会对级联碰撞的发展有吸引作用。

关键词： 碳化硅 辐照性能 缺陷分析 晶界

作者: 宋枭雄 牛莉莎 金恩泽

作者单位: 清华大学航天航空学院工程力学系,北京100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 北京力学会第十九届学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 65-66

在线出版日期: 2013-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）