磁控溅射制备技术大块SiGe纳米晶材料的实验研究
本文首次报道了磁控溅射制备大块SiGe纳米材料的实验研究.在加工SiGe复合靶的实验基础上,采用射频磁控溅射技术,于玻璃衬底和Si衬底上,制备了一系列SiGe纳米晶薄膜,X射线小角衍射测量了不同溅射压强下制备的样品,通过计算机模拟实验曲线确定出了SiGe薄膜的厚度,计算出不同压强下的溅射速率.实验微结构分析和计算机模拟都表明:在衬底温度为400℃、溅射功率为150W的溅射条件下,2～3Pa氩气压强时制备出SiGe纳米晶的均匀性和平整性都比其它压强下制备的样品好.用喇曼散射对不同工艺下的结构和成分进行分析,进一步表明制备SiGe纳米晶薄膜的优化衬底温度为400℃左右,在此条件下获得纳米晶的尺度为20～100nm.在喇曼谱中还观察到Si-Si键、Si-Ge键和Ge-Ge键光学声子峰和声学声子峰,相关的材料制备和测试分析尚在进行.
SiGe 溅射 纳米晶 光学器件 电子器件
杨宇 杨红卫 周卫 毛旭 赵鹤云 王勇 周祯来
云南大学材料科学与工程系(云南昆明)
国内会议
厦门
中文
1602-1603,1607
2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）