双束离子辐照SiC单晶辐照损伤协同效应的研究

摘要：

　　硅离子和质子双束辐照碳化硅(SiC)单晶材料，通过测量样品的透射率和红外光谱研究双束离子辐照SiC单晶的协同效应.质子辐照SiC材料使其透射率上升，这主要是氢离子对SiC悬挂键钝化作用所致.Si3+离子辐照会在SiC中引入缺陷，主要由缺陷形成的光吸收中心导致辐照后的SiC透射率下降，即在损伤层处富集光吸收中心.氢在SiC材料中是难溶的，其与Si3+辐照产生的缺陷结合，固化了产生缺陷在单晶材料中的运动，使得空位与间隙原子复合的概率下降.Si3+和H+双束同时辐照相对于先注入Si3+后注入H+的样品引致更多损伤，双束离子辐照有加重碳化硅辐照损伤的作用.

关键词： 聚变反应堆 碳化硅 双束离子辐照 红外光谱 协同效应

作者: WANG Xu 王绪 ZHANG Yanwen 张艳文 LIU Shiyi 刘士毅 ZHAO Ziqiang 赵子强

作者单位: State Key Laboratory of Nuclear Physics and Technology,Institute of Heavy Ion Physics,Peking Univers 北京大学重离子研究所核物理与核技术国家重点实验室 北京 100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 2012全国荷电粒子源、粒子束学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 2-5

在线出版日期: 2012-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）