应变SiGe/Si多量子阱的光荧光研究

摘要：

Si的非直接带结构使得它在光子学领域的发展与应用到很大的限制，因此，到目前为止，光子学技术的研究是以III-V族为主体。要实现电子学与光子学技术的有效结合，实现光电子单片集成是人们梦寐以求的目标。正因如此，Si基光电子学材料与器件的研究受到人的高度重视，犹其是在近十多年来，人们在SiGe材料与器件方面的研究非常活跃<””4”>。

关键词： SiGe/Si材料 异质结构 多量子阱 光子学

作者: 成步文 黄昌俊 罗丽萍

作者单位: 中国科学院半导体研究所,集成光电子学实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 121～123

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）