SI-GaAs材料的电学补偿

摘要：

研究了HPLEC工艺生长半绝缘砷化镓单晶过程中，熔体的化学剂量比对晶体深施主缺陷能级、浅受主碳的浓度以及晶体电学性能的影响。由n型半绝缘晶体的补偿机理对实验现象进行了解释，给出了既能保证晶体电学性能又可以使缺陷浓度较低的最佳熔体剂量比。并将近本征半导体的物理模型推广至高补偿的半绝缘砷化镓单晶，得到了较理想的电阻率范围。

关键词： SI-GaAs材料 电学补偿

作者: 赖占平 齐德格

作者单位: 工业部第四十六研究所(天津) 部四十六研究所(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 154～157

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）