利用近空间升华法在较高的源温度下制备CdTe薄膜
利用近空间升华法在较高的源温度650℃和700℃下制备了CdTe薄膜,使用EDS、XRD、SEM和UV-Vis-NIR系统地研究了CdTe薄膜的化学组成、晶体结构、表面形貌和光学带隙。EDS结果表明在源温度为650℃和700℃下制备的薄膜Cd与Te两种元素的化学计量比分别为1∶0.98和1∶0.95；XRD结果表明在源温度为650℃和700℃条件下制备的CdTe薄膜均在2θ=24.027°、39.741°、46.977°、57.461°、63.177°、72.132°和77.280°处出现了衍射峰,将其与CdTe晶体标准衍射卡片(JCPDS75-2086)对比,可知各衍射峰分别对应于CdTe晶体的(111)、(220)、(311)、(400)、(331)、(422)、(511)晶面,且择优取向均为(111)面,在源温度为700℃条件下制备的CdTe薄膜的结晶程度更好；SEM结果表明源温度为650℃时晶粒尺寸约为1μm,而源温度为700℃时颗粒尺寸明显增大,约为5μm；在源温度为650℃和源温度为700℃下制备的薄膜的禁带宽度分别为1.44eV和1.43eV。
碲化镉薄膜 制备工艺 化学组成 晶体结构 表面形貌 光学带隙
Xinjie Shen 沈鑫颉 占小平 Xiaoping Zhan Wangchao Chen 陈汪超 Min Yao 姚敏 Pengfei Yang 杨鹏飞 Xiaoyan Dai 代晓艳 张旭辉 Xuhui Zhang Chengwu Shi 史成武
School of Chemical Engineering, Hefei University of Technology, Hefei 230009, P.R.China; Key Lab of 合肥工业大学,化学工程学院,安徽,合肥230009;中国科学院新型薄膜太阳电池重点实验室,安徽,合肥230031
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2012-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）