二氧化锡气敏元件制备及气敏机理研究

摘要：

介绍了以SnO<,2>为主,填加Al<,2>O<,3>,MgO,InO,Pd等填料的常温CO气敏元件的制备方法.根据其晶体结构特点对气敏机理进行了探讨.论述了传感器的信息传感机制,即晶界势垒控制和晶粒大学控制机制同时存在.为获得性能良好的气敏元件,需要最佳的制备方法和最好的填料.

关键词： 二氧化锡 气敏特性 晶体结构 吸附机理 气敏元件 化学传感器

作者: 王岚 何敬文 刘雅言 王秀艳 丁金英 殷文春 曾雄辉

作者单位: 中国科学院长春应用化学研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国化学传感器学术交流会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 105-106

在线出版日期: 2001-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）