碳化硅高温压力传感器初探

摘要：

该文简要介绍了用于高温压力传感器制造的3C-SiC／Si外延生长的研制方法和研究结果。对与压力传感器研制有关的掺杂工艺、刻蚀工艺、金属化工艺和封装工艺进行了深入的研究。目前碳化硅高温压力传感器的研制工作正在进行之中。

关键词： SiC 压力传感器 异质外延

作者: 朱作云 王文襄

作者单位: 电子科技大学微电子所 传感器研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会”98敏感技术学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 158～159

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）