TiO<,2>材料的半导化机理探讨
研究了表面掺杂和高温烧结对TiO<,2>材料半导体的影响,结果表明:TiO<,2>材料在高温条件下可产生间隙离子和氧空位;掺入与T<”4+>离子半径相近的V<”5+>,Nb<”5+>,Sb<”5+>,Mg<”2+>,Li<”+>等离子可与TiO<,2>生成固熔体,从而增加材料的导电粒子数目,改变TiO<,2>材料的能带结构,降低材料的固有阻值,使TiO<,2>材料半导化。
二氧化钛 高温试验 导电材料 表面掺杂 半导化
曲宝涵 马传利 杨爱萍
莱阳农学院基础课部(山东莱阳) 莱阳农学院基础 课部(山东莱阳)
国内会议
第六届全国气湿敏传感器技术学术交流会及第八届全国湿度与水分检测学术交流会
郑州
中文
99~101
2000-07-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)