Si<,3>N<,4>薄膜的制备及结构成分研究

摘要：

该文介绍了利用微波ECR-PCVD技术制备Si<,3>N<,4>薄膜的工艺过程及沉积温度对Si<,3>N<,4>薄膜的结构成分的影响。通过红外光谱（IR）检测表明，随着沉积过程中温度的提高，Si<,3>N<,4>薄膜中H的含量逐渐减少，密度逐渐增大，致密性得到显著提高。

关键词： Si<,3>N<,4>薄膜 ECR 粒子辐射损伤 结构成分

作者: 程绍玉

作者单位: 中国科学院等离子体物理研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国等离子体科学技术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 89-92

在线出版日期: 1999-08-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）