用作硅基微型声传感器的Si<,3>N<,4>/SiO<,2>双层驻极体膜微型化后的电荷稳定性

摘要：

通过平面工艺和微机械加工技术将硅基Si<,3>N<,4>/SiO<,2>双层驻极体膜制作成2mm×2mm的小片,通过电晕充电及等温表面电位衰减测量,考察了微型化对材料的电荷储存稳定性的影响.研究材料在模拟的高温常湿、常温高湿恶劣储存环境(ET=125℃、EH=93℅)中的电荷稳定性.同时对比考察了HMDS和DCDMS两种不同化学表面修正试剂对材料电荷储存稳定性的影响.

关键词： Si<,3>N<,4>/SiO<,2> 微型化 氧化硅薄膜 驻极体材料 电荷稳定性

作者: 邱勋林 朱伽倩 夏钟福 沈绍群 张冶文

作者单位: 同济大学波耳固体物理研究所(上海) 复旦大学电子工程系(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 729-731,736

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）