BaZrO3掺杂Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-PbTiO3压电陶瓷
Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-PbTiO3化合物在准同型相边界(MPB)处具有BiScO3-PbTiO3相近的居里温度(478℃),而且其原料价格低廉,具有潜在的应用价值。本文通过加入BaZrO3将降低A位离子与O2离子的杂化作用,降低轴比,使化合物的铁电畴更易翻转,进而降低矫顽场。
压电陶瓷材料 掺杂改性 铁电畴 矫顽场
樊龙龙 陈骏 康华峻 邓金侠 于然波 邢献然
北京科技大学冶金与生态工程学院, 北京, 100083 北京科技大学冶金与生态工程学院, 北京, 100083;北京科技大学新金属材料国家重点实验室, 北京, 100083
国内会议
第十一届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会
长春
中文
252-253
2012-07-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)