籽晶极性对4H-SiC晶体生长的影响

摘要：

　　本研究着重研究了籽晶极性对4H-SiC晶体的晶型、电学性质以及杂质含量的影响，分析了籽晶极性对SiC晶体生长的影响机理。

关键词： 碳化硅 晶体生长 籽晶极性 半导体材料

作者: 刘春俊 彭同华 王波 赵宁 王锡明 娄艳芳 陈小龙

作者单位: 中国科学院物理研究所功能晶体研究与应用中心,北京,100190;北京天科合达蓝光半导体有限公司,北京,100190 北京天科合达蓝光半导体有限公司,北京,100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 331-332

在线出版日期: 2012-07-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）