磁控溅射Ge/Si多层膜的喇曼谱研究

摘要：

采用磁控溅射方法沉积Ge和Si材料在Si(100)衬底上.用喇曼散射对不同工艺下的结构和成分进行了分析,表明制备Ge和Si单晶膜的优化衬底温度为400℃左右.分析了Si/Ge多层膜中Si-Ge键光学振动模式不出现的原因,主要是溅射材料Si和Ge的晶态不同造成的.在喇曼谱中观察到Si-Si键和Ge-Ge键光学声子峰和声学声子峰.

关键词： Si/Ge多层膜 喇曼散射 磁控溅射 薄膜材料

作者: 毛旭 周祯来 杨宇

作者单位: 云南大学材料科学与工程系(云南昆明)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 1393-1396

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）