采用n-AlInGaN作为电子缓冲层中的量子垒的新型LED结构

摘要：

　　为了减少发光量子阱区的缺陷，缓解量子阱区的应力，减小极化效应，提高量子阱结晶质量，降低效率衰减，提高发光效率，本文采用了n-AlInGaN作为CART中的垒的新型LED结构，实验数据表明，由于Si的掺杂，采用n-AlInGaN作为垒层没有造成正向工作电压的提高，原子力显微镜结果显示，用n-AlInGaN作为CART中的垒能有效的截止底层产生的刃型位错。由于极化作用的减小，发现器件的发光效率得到了提高，同时效率的衰减也明显减小；通过抗静电测试发现，该垒层同时还起到了电流扩展层的作用，有效的提高了器件的抗静电能力。

关键词： n-AlInGaN量子垒 电子缓冲层 氮化镓基发光二极管 发光效率 抗静电能力

作者: Wang Mingjun 王明军 Hu Jiahui 胡加辉 Chen Xiaoyu 陈晓宇 Wei Gary 魏世祯

作者单位: HC Semitek Corporation,Wuhan 430223,China 华灿光电股份有限公司,武汉430223

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国LED产业发展与技术研讨会

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 55-59

在线出版日期: 2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）