GaN基纳米材料的外延生长及纳米杆LED原型器件
本文研究通过原位的反射式高能电子衍射(RHEED)和反射谱研究了在蓝宝石衬底上生长的InGaN纳米杆的生长机制, InGaN在蓝宝石上首先是二维生长,由于InGaN和蓝宝石的晶格失配,InGaN薄膜中有很大的应力,随着厚度的增加,达到一个临界厚度后应力释放,转化为三维岛状生长,随着生长的进行在这些岛上继续生长成纳米杆,通过控制生长时间,可以实现杆到薄膜的转变,另外通过使用AlN缓冲层的使用,在硅衬底上实现了大面积取向一致的InGaN纳米杆阵列。基于硅衬底,本文通过生长InGaN纳米杆以及之上GaN的纳米杆和InGaN/GaN多量子阱,P型GaN薄膜,实现了GaN纳米杆LED原型器件,具有一定的整流特性。
氮化镓基纳米材料 分子束外延 硅衬底 纳米杆 生长机制 发光二极管原型器件
Wu Kemin 吴克敏
HC SemitekCorporation,Wuhan430223,China 华灿光电股份有限公司,武汉430223
国内会议
武汉
中文
60-63
2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）