3D层温度对图形化衬底上生长GaN性能的影响

摘要：

　　研究了3D层的生长温度对蓝宝石图形化衬底上生长GaN性能的影响。采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)，在2英寸蓝宝石图形化衬底上生长GaN基LED外延层，改变3D生长层的温度，其余各层的生长条件相同，制成四个样品。然后分别采用X射线衍射摇摆曲线(XRD)，原子力显微镜(AFM)以及扫描电子显微镜(SEM)对样品进行分析，并将四个样品的LED结构外延片制作成300μm×300μm的标准小芯片，测试其反向电压(Vr)，反向电流(Ir)，抗静电能力(ESD)等参数。结果表明：在一定温度范围内，适当的降低3D层的生长温度，有利于GaN单晶的二维横向生长，减小位错密度，提高晶体质量，有效的提高了GaN基LED的性能。

关键词： 图形化衬底 3D层温度 金属有机物化学气相沉积法 氮化镓基发光二极管 结构性能

作者: Guan Qiuyun 关秋云 Yang Tianpeng 杨天鹏 Wu Shengli 武胜利

作者单位: Dalian Meiming Epitaxy Technology Co.Ltd.,Dalian 116600,China 大连美明外延片科技有限公司,辽宁大连116600

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国LED产业发展与技术研讨会

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 64-67

在线出版日期: 2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）