硅上GaN基薄膜倒装LED的制备

摘要：

　　利用MOCVD的方法用在Si(111)衬底上以AlN为缓冲层生长了GaN基多量子阱LED外延层.通过衬底转移技术,在薄膜芯片工艺的基础上结合了倒装芯片的设计,制备了具有高取光效率的LED芯片.对封装好的1.1×1.1mm2蓝光和白光灯分别进行测试.在350mA正向电流下,硅胶封装的蓝光LED灯的光输出功率为546 mW,外量子效率为50.3％.相同正向电流下,标准YAG荧光粉封装白光灯的光通量为120.1lm.

关键词： 氮化镓基薄膜 倒装芯片 发光二极管 硅衬底

作者: Feng Bo 封波 Sun Qian 孙钱 Zhao Hanmin 赵汉民 Min Wang 王敏

作者单位: Lattice Power(Jiangxi),Corporation,Nanchang 330029,China 晶能光电(江西)有限公司,南昌330029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国LED产业发展与技术研讨会

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 81-83

在线出版日期: 2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）