AlGaInP发光二极管薄膜芯片
本文介绍了三安光电公司研发和生产的AlGaInP-LED薄膜RS系列芯片产品产业化技术现状.通过采用多项先进工艺和质量控制技术,产业化生产的RS-LED外延片和芯片具有良好的性能及可靠性.其中RS-LED芯片产品通过采用全方位反射镜、衬底转移、金属键合和表面粗糙化等关键工艺技术,实现了良好的大电流特性和电流扩展性能,亮度指标大幅提升,红光RS-LED芯片最高亮度达550mcd,Au-To封装后器件光通量可达3.5 lm.针对RS-LED芯片生产工艺的特点,本文探讨了产业化生产的关键工序、生产过程质量控制点以及质量控制关键参数等,提出了切实有效的生产过程质量控制方法,并付诸实践.
薄膜发光二极管 产品开发 技术指标 产业化生产
蔡文必 蔡伟智 吴超瑜 刘如玲 邱姝颖
三安光电股份有限公司,厦门361009;天津三安光电有限公司,天津300384 三安光电股份有限公司,厦门361009 天津三安光电有限公司,天津300384
国内会议
武汉
中文
84-88
2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）