Si基LED薄膜芯片Ni/Ag反射镜保护技术研究
Ag基反射镜大大提高了薄膜型LED芯片的光提取效率,但其在酸洗工艺中易受破坏,通常选择抗腐蚀性较好的金属(Pt、Cr等)作为Ag基反射镜的保护材料,同时需要研究保护金属与p-GaN的接触性能,避免在p-GaN上同时形成两种欧姆接触所引入的电流分流效应.本文通过传输线(CTLM)的方法研究了Pt、Cr、Ni/Ag与p-GaN的接触行为,讨论了Cr、Pt作为Ni/Ag反射镜保护材料的可行性.结果发现,N2氛中500℃合金1分钟后,NiAg/p-GaN的比接触电阻率(ρc)值达到最低,为1.42×10-3 Ω·cm2,同样条件下80nmPt/p-GaN的ρc为6.63×10-3 Ω·cm2,与NiAg/p-GaN的ρc同属一个数量级,30nmCr/p-GaN的ρ c为2.03×10-2Ω· cm2,高出NiAg/p-GaN的ρc一个数量级.另外,30nmCr/p-GaN合金前的ρc为5.74×10-2 Ω ·cm2这说明,Cr是一种更为理想的Ni/Ag反射镜保护材料,若Ni/Ag合金后再蒸发Cr保护层,效果更佳.
硅基发光二极管芯片 薄膜材料 银基反射镜 保护技术
Wang Guangxu 王光绪 Xiong Chuanbing 熊传兵 Wang Li 王立 Liu Junlin 刘军林 Jiang Fengyi 江风益
National Engineering Technology Research Center for LED on Silicon Substrate,Nanchang University,Nan 南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心,南昌330047;南昌黄绿照明有限公司,南昌330047
国内会议
武汉
中文
89-92
2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）