紫光LED芯片电流扩展层的制备工艺研究

摘要：

　　本文研究了蒸发工艺条件和原料比例对紫光LED芯片ITO电流扩展层特性的影响.实验中，共采用了两种高密ITO料In203/Sn02=90/10(质量比)和In203/Sn02=95/5(质量比)分别制备ITO电流扩展层，通过改变电流扩展层制备的工艺参数：蒸发温度，氧流量，制备薄膜厚度等方法，研究并分析了制备工艺对ITO电流扩展层特性的影响.实验结果表明：通过优化紫光LED芯片ITO电流扩展层制备工艺可以提高紫光LED的光电性能，采用In203/SnO2=95/5(质量比)ITO料，在温度250-270℃、氧流量2.0-4.0sccm、扩展层厚度210-230nm的条件下，加工的紫光LED芯片光电性能较好.

关键词： 紫光发光二极管芯片 电流扩展层 制备工艺 光电性能

作者: Ning Lei 宁磊 Wang Shenglian 王省莲 Lian Dazhen 廉大桢 Li Jianting 李建婷 Liu Dawei 刘大为 Li Weilin 李伟霖

作者单位: Xi”an Zoomview Optoelectronic Science&Technology Co.,Ltd.,Xi”an 710065,China 西安中为光电科技有限公司, 西安710065

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国LED产业发展与技术研讨会

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 107-111

在线出版日期: 2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）