(SiC)P表面低成本化学改性的研究

摘要：

　　为解决裸(SiC)p在应用中存在的不足,本文作者提出(SiC)p表面低成本化学改性的思路。采用简单的化学镀技术,改进氧化、亲水、敏化和活化的前处理工艺,对(SiC)p进行表面化学改性。确定了最佳的实验工艺,获得了镀层连续,无光滑(SiC)p裸露的较高质量的碳化硅复合粉体”简写为(Ni/SiC)P”,通过SEM,EDS,XRD,TEM等测试结果表明,改性后的(Ni/SiC)p较改性前的(SiC)p导电性提高,形貌、组成发生改变。同时分析了热处理对(Ni/SiC)p的影响,结果表明,随着温度的升高,(Ni/SiC)p表面改性层中的镍由非晶态转化为晶态。

关键词： 陶瓷材料 表面改性 结构表征 化学镀 热处理技术

作者: 宿辉 王桂芳 栾风虎

作者单位: 黑龙江工程学院 150050 哈尔滨工程大学 150001

会议类型: 国内会议

会议名称: 2008哈尔滨市科学技术学术月

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 78-81

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）