任意纵向变掺杂体硅横向功率器件二维耐压模型

摘要：

　　横向功率器件是智能功率集成电路的核心器件，而漂移区杂质分布是影响器件击穿性能的重要因素。本文基于二维泊松方程的解，建立了漂移区全耗尽和不全耗尽情况下任意纵向变掺杂体硅横向功率器件二维电场分布模型，进而导出了纵向和横向击穿电压表达式。借助此模型，研究了漂移区纵向杂质分布分别为均匀、线性递减、线性递增和高斯四种典型分布的体硅功率器件的耐压机理和工作特性。解析结果和半导体器件仿真器MEDICI的数值结果吻合较好，验证了模型的准确性。

关键词： 硅半导体 功率器件 表面电场 击穿电压 数值仿真

作者: Guo Yufeng 郭宇锋 Hua Tingting 花婷婷

作者单位: College of Electronic Science and Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, N 南京邮电大学电子科学与工程学院,南京 210003

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十五届青年学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 167-172

在线出版日期: 2009-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）