降低SRAM静态功耗的技术综述

摘要：

本文对低功耗设计中的主要漏流产生原因做了详细的论述,为了解决静态存储器的静态功耗,提出了有效降低存储单元的静态功耗的设计技术:浮动自控电源;高K金属栅工艺.

关键词： 静态存储器 静态漏流 低功耗 浮动电源 高K金属栅工艺

作者: 史妮妮 马卓 孙永节

作者单位: 国防科技大学计算机学院 长沙 410073

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届计算机工程与工艺会议(NCCET09’)

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 317-321

在线出版日期: 2009-08-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）