静态随机存储器抗辐射加固技术研究

摘要：

辐射效应对集成电路的影响随着工艺尺寸的下降而增加,本文将从单粒子翻转、单粒子闩锁、总剂量效应等方面分析存储单元加固技术的各种可行方法,并阐述各种方法的优、缺点.

关键词： 单粒子效应 设计加固技术 体反偏压 supply collapse(SC) 错误探测和校正

作者: 向文超 刘必慰 郭阳

作者单位: 国防科技大学计算机学院 湖南长沙 410073

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届计算机工程与工艺会议(NCCET09’)

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 327-331

在线出版日期: 2009-08-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）