SRAM中动态电压控制低漏流技术

摘要：

一般来说,芯片功耗大部分来自于片上存储器,因此降低存储器功耗成为芯片低功耗设计的首要目标.本文分析了动态电压调节技术,根据工作状态的不同改变SRAM单元的供电电压,在待机状态下对SRAM进行电压控制以减小静态漏流,在工作状态下进行电压切换保证读写的速度和可靠性,模拟结果显示采用该技术可以有效减小SRAM静态功耗.

关键词： SRAM 静态漏流动 态电压调节

作者: 赵亮 马卓 韩龙 陈书明

作者单位: 国防科技大学计算机学院 长沙 410073

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届计算机工程与工艺会议(NCCET09’)

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 336-340

在线出版日期: 2009-08-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）