两种高速加固CAM单元的研究与设计
现代集成电路对软错误导致的位翻转越来越敏感,位翻转通常是由α粒子或中子撞击MOS管的漏极引起的.这些位翻转,包括SEU(单粒子翻转),随着工艺的更新换代会变得更加严重,必须通过加固来增强电路的可靠性.CAM通常应用于快表、网络路由器和图像处理等一些高速领域,CAM的普通加固方法都因延时过大而影响性能.本文对CAM单元中的敏感节点进行了加固,且加固不在CAM的关键路径上,从而设计出几乎不影响性能的抗SEU加固CAM单元.实验表明,本文设计的加固CAM单元仅有1.2％的延时增加却有很高的可靠性.
CAM 软错误 SEU 可靠性
张甲兴 高昌垒 孙岩 李少青
国防科技大学计算机学院并行与分布处理国防科技重点实验室 长沙 410073
国内会议
西安
中文
341-345
2009-08-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）