深亚微米CMOS器件总剂量辐照效应模型研究进展

摘要：

电路模型的准确性与简便性(计算效率)直接影响电路设计与分析,目前运用最多的标准模型BSIM3由于未包含辐射效应对器件的影响,不适用于对工作在辐射环境下器件的分析与设计.本文简单介绍了总剂量对深亚微米器件的影响机制,列举了三种CMOS器件建模方法,并援引出当前国际上建模总剂量效应的最新方法,提出了今后的工作方向,在原有模型的基础上研究改进方法,以使其适用于辐射环境下器件特性的分析工作.

关键词： 总剂量效应 器件辐射模型 深亚微米

作者: 滕浙乾 梁斌 孙锁林

作者单位: 国防科技大学计算机学院 长沙 410073

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届计算机工程与工艺会议(NCCET09’)

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 398-402

在线出版日期: 2009-08-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）