合金靶溅射与共溅射制备的Si2Sb2Te5性能区别

摘要：

分别用Si2Sb2Te5合金靶和Si、Sb、Te单质靶三靶共溅射制备相变材料Si2Sb2Te5薄膜,用原位升温测试前者得到的样品的结晶温度为223℃,而后者的结晶温度为275℃.前者的结晶速率较快,二者的高低阻的差异也较大.利用XRD测试对二者进行结构研究,前者的结晶态为Si2Te3和Sb2Te3两者的混合态,而后者的结晶态在不同退火温度下并不稳定.另外,用SEM对前者退火后的Si2Sb2Te5薄膜进行观察,发现当退火温度达到300℃和350℃时样品表面出现了破损现象.

关键词： Si2Sb2Te5 phase-change material crystallization temperature structure

作者: 顾怡峰 宋志棠 张挺 刘波 封松林

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,纳米技术研究室,上海200050;中国科学院研究生院,北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,纳米技术研究室,上海200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 2008年上海纳米科技与产业发展研讨会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 157-163

在线出版日期: 2008-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）