硅和硅钨共掺杂TiO2电极的电化学阻抗与平带电位研究
TiO2具有价格便宜、活性高、耐光腐蚀能力强、无毒等特点,被认为是目前最为优良的半导体材料之一,在光催化降解空气中的有机物,光分解水制氢和染料敏化太阳能电池等多个方面有广泛的应用前景。因此,TiO2引起了各国科学工作者的极大兴趣,同时也促进了半导体化学、半导体物理半导体电化学和光电化学等基础理论的发展。交流阻抗法和半导体电极的平带电位变化可以表征电极光电性能以及半导体材料的光催化性能,对太阳能利用研究具有重要意义。TiO2掺杂改性是对TiO2进行表面修饰的重要方法之一。利用“热氧化物浴”法和“阳极氧化”法分别制备了硅掺杂和硅钨共掺杂TiOz薄膜，利用EIS和Mott-Schottky测试表征了掺杂对TiO2光催化和光电性能的影响。
二氧化钛电极 平带电位 电化学阻抗 光催化性能 硅钨掺杂
孙明轩 崔晓莉
复旦大学材料科学系 上海 200433
国内会议
武汉
中文
236-236
2012-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）