Cu2ZnSnS4纳米晶薄膜的合成和制备

摘要：

　　Cu2ZnSnS4的禁带宽度为1.51eV,与半导体太阳能电池所要求的最佳禁带宽度(1.5eV)十分接近,Cu2ZnSnS4为直接带隙的半导体材料,且具有较大的吸收系数(大于104cm-1),该材料中的各元素在地壳上蕴含量丰富,还因成分无毒和环境友好,而成为太阳能电池吸收层的最佳候选材料之一。同时液相法制备的光伏器件具有设备简单,成本低,生产灵活且能够大规模生产等优点,为大规模利用太阳能提供了一条可行的路线。基于这些,我们用溶液法制备了Cu2ZnSnS4薄膜,并研究其简单光电性能。

关键词： Cu2ZnSnS4纳米晶薄膜 太阳能电池 光电性能 液相法

作者: 袁胜杰 周正基 武四新

作者单位: 河南大学特种功能材料重点实验室 开封 475004

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国太阳能光化学与光催化学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 244-244

在线出版日期: 2012-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）