晶相对BiVO4光生电荷迁移特性及光催化活性的影响
BiVO4,作为一种新型的半导体光催化材料,受到越来越多的关注,但对其研究主要集中在对形貌的控制及不同形貌光催化活性的差别,对不同晶相内部光生载流子的迁移特性却少有报道。基于此,本文通过共沉淀及金属熔盐的方法制备了一系列不同晶相的BiVO4,并利用表面光电压技术研究其光生电荷的迁移特性及光催化活性。不同晶相的BiVO4其光生载流子的迁移特性不同，光催化活性有很大差异。对于BiVO4光催化氧化的降解过程，光生空穴向表面迁移时的催化活性要明显高于光生电子向表面迁移时的活性。
BiVO4半导体光催化材料 光催化活性 染料降解 电荷迁移 迁移特性
樊海梅 王德军 李海彦 蒋腾飞 谢腾峰
吉林大学化学学院 长春 130012
国内会议
武汉
中文
283-284
2012-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）