RGO-WO3杂化材料的合成及可见光催化性能
三氧化钨(WO3)的禁带能在2.4-28 eV之间,对可见光有很好的吸收,而且氧化物在水溶液中也非常稳定,是很有潜力的可见光响应的光催化材料。但近年来关于WO3纳米半导体用于光催化降解有机污染物的报道并不多见,其主要原因可能是因为WO3半导体的导带化学势很高(+0.5 v vs NHE,pH=0),而EO2 /·O2-在pH=0时却为-0.046 V vs NHE,即催化剂受光激发后跃迁到表面的电子不能与O2分子反应生成·9O2-,因而容易导致电子与空穴复合,光催化效率很低。利用水热法在氧化石墨烯上原位成长WO3纳米带得到了RGO-WO3杂化材料，氧化石墨烯上的含氧基团为WO3纳米带的形成提供了成核中心，但氧化石墨烯抑制了WO3纳米带沿着(002)晶面方向的生长，导致了短的WO3的形成。可见光下RGW杂化材料显示了比纯的W03纳米带更强的光催化活性。
杂化材料 光催化活性 氧化石墨烯 三氧化钨纳米带
田丽红 昝菱
武汉大学化学与分子科学学院 武汉 430072
国内会议
武汉
中文
336-336
2012-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）