微孔n-Si光电极的制备及其光电性能研究
晶体硅材料是太阳能电池的主要材料，其性能的好坏直接影响太阳能电池的光电转换效率。由于多孔硅具有好的减反效果，制作简单，在多晶硅太阳电池应用中被用作减反层，在太阳能光解水中作为基地光电极，是当前研究的热点。多孔硅的主要制备方法是化学刻蚀法、光化学刻蚀法、水热刻蚀法以及电化学刻蚀，但制备出的多是处于纳米级的孔，在本工作中，我们使用电化学阳极氧化法，在以HF为电解液中加入离子液体(”BMIm”BF4)添加剂，在不同的电流密度下分别对p-Si和n-Si进行了刻蚀，成功制备出了均匀的微孔n-Si光电极，并对刻蚀后的硅电极的表面形貌以及光电性能进行了表征。
单晶硅 阳极氧化 离子液体 微孔n-Si光电极 光电性能 太阳能电池
李作鹏 温雅琼 李江 郭永
山西大同大学应用化学研究所 大同 037009
国内会议
武汉
中文
452-452
2012-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）