CMOS抗辐射加固电路RHBD技术研究

摘要：

　　本文主要是对CMOS电路的抗辐射加固RHBD技术进行了研究，介绍了基于RHBD技术的纠错码技术、保护门(Guard-gates)电路技术、双互锁存储单元(DICE)技术、三模冗余(TMR)技术等；并给出了基于DICE结构的锁存器的设计及其功能仿真波形。

关键词： CMOS电路 抗辐射加固RHBD技术 DICE结构 锁存器 功能仿真

作者: Minghao Hu 胡明浩 Lei Li 李磊 Pei Wang 王佩

作者单位: 电子科技大学电子科学技术研究院 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 电子科技大学电子科学技术研究院第四届学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 72-75

在线出版日期: 2008-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）