11.低功率半导体激光预防和治疗羟基磷灰石义眼座暴露的实验研究
目的 探讨低功率半导体激光治疗羟基磷灰石义眼座暴露的作用机理.方法 24只新西兰白兔,随机分为2组,一组为实验照射组,另一组为对照组,每组又分为四小组,每小组3只,分别对其右眼行眼球摘除术,将CHA植入眼眶肌锥腔内,对缝眼外肌,筋膜和球结膜,术后2天,对照组用F-的确当眼液滴眼,每天4次,连续7天,实验照射组用J AM-Ⅱ型半导体激光器局部照射,每天1次,每次10min,7天为一个疗程.分别于术后1周、2周、4周、8周处死动物,每组3只,取出C HA球体作病检.结果 实验照射组在各个阶段的纤维血管长入CHA球体内的长度及血管化程度明显优于对照组,实验组未发生明显的炎症反应.结论 低功率半导体激光对预防和治疗羟基磷灰石义眼座暴露有确切的疗效,其作用机制可能主要为促进CHA的纤维血管化和预防炎症反应.
廖洪斐 徐柒华 张向荣 陈墙娟
江西医学院第一附属医院眼科 330006
国内会议
福州
中文
77-77
2005-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）