ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷非线性对残压的影响

摘要：

　　本文测量了传统工艺制备的具有不同非线性系数的ZnO—Bi2O3系压敏陶瓷的小电流区、大电流区及部分中电流区的I-V特性与介电谱，通过对I-V特性和介电谱的分析得出在小电流区和大电流区残压比的大小，非线性小的压比低，非线性大的压比高。在小电流区，非线性高的试样残压更接近于压敏电压，在大电流区，隧道击穿电流的导电机理是热场致发射。

关键词： 压敏陶瓷 I-V特性 介电谱 非线性系数 氧化锌

作者: 李盛涛 成鹏飞 丁璨

作者单位: 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室 西安 710049 西安工程大学理学院陕西 西安 710048

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会敏感技术分会第十六届电压敏学术年会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 95-98

在线出版日期: 2009-10-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）