侧面高阻釉对压敏防雷芯片(MOV)电性能的影响

本文使用传统的陶瓷工艺。研究了侧面高阻釉对压敏防雷芯片电性能的影响。结果表明:高阻釉使芯片的均匀性得以提高、缺陷减少;提高样品的8/20ps通流能力;在1000mA工频电流作用下,芯片的熔穿点位于芯片中部铜电极区,利于热脱离机构动作。从而提高芯片的暂态过电压耐受能力。
高阻釉 压敏防雷芯片 电性能 陶瓷工艺 热脱离机构
庞驰 费自豪 张雷
贵州大学材料与冶金学院 贵阳 550003 贵州飞舸电子有限公司 贵阳 550022
国内会议
昆明
中文
99-101
2009-10-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)