ZnO压敏电阻晶界Bi的连续分布形态

摘要：

　　文章综述了ZnO压敏电阻材料的显微结构，ZnO压敏电阻的晶界，晶界Bi-O相的变化，提出晶界Bi-O相的转变模型，确定了晶界Bi的连续存在。

关键词： 氧化锌 压敏电阻 显微结构 晶界Bi-O相 转变模型 连续分布形态

作者: 孙丹峰 季幼章

作者单位: 苏州市电通电力电子有限公司 苏州 215001 苏州市电通电力电子有限公司 苏州 215001 中国科学院等离子体物理研究所 合肥 230031

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会敏感技术分会第十六届电压敏学术年会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 177-183,188

在线出版日期: 2009-10-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）