SnO2-Sb2O3基压敏陶瓷材料

摘要：

　　本文研究了Sb2O3、TiO2、Co3O4、Cr2O3、Ni2O3和MnO掺杂对SnO2压敏陶瓷材料微观结构和电性能的影响。实验发现,TiO2和Co3O4是促进SnO2陶瓷致密化烧结的有效添加剂,根据XRD图谱分析发现,Co3O4与SnO2反应形成了Co2SnO4晶相,而TiO2则固溶于SnO2晶相；Sb元素的引入能够促进SnO2晶粒的半导化；复合添加Cr2O3、Ni2O3和MnO可以有效提高材料的电压非线性特性和脉冲电流冲击耐受能力。本工作获得电性能接近实用化的SnO2压敏陶瓷样品,其压敏电压VlmA约为350V/mm,非线性系数α达到50,漏电流小于5μA,并且在8/20μs脉冲电流冲击试验中,直径Φ14mm的样品能够经受2kA的峰值电流。

关键词： 耐电流冲击特性 压敏陶瓷 微观结构 电性能

作者: 卢振亚 黄欢 蔡源源

作者单位: 华南理工大学电子材料科学与工程系,广州,510640

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会敏感技术分会第十五届电压敏学术年会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 57-61

在线出版日期: 2008-09-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）