ZnO半导体陶瓷晶界势垒的控制与应用

摘要：

　　文章综述了ZnO半导体陶瓷的晶相、晶界，微观结构和电性能关系，晶界势垒高度和耗尽层宽度的表征，从ZnO半导体陶瓷晶界电容与晶界势垒电压关系，推导了电容一电压(C-V)特性，可以求得ZnO半导体陶瓷晶粒的势垒高度，耗尽层宽度和施主密度。

关键词： 氧化锌 半导体陶瓷 晶界势垒 微观结构 电性能

作者: 孙丹峰 季幼章

作者单位: 中国科学院等离子体物理研究所博士 中国科学院等离子体物理研究所,合肥,230031

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会敏感技术分会第十五届电压敏学术年会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 101-107

在线出版日期: 2008-09-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）