高能片式ZnO压敏电阻瓷料研制

摘要：

　　本文阐述了通过调整片式ZnO压敏电阻瓷料配方中Sb、Si含量的比,可以实现Zn7Sb2O12尖晶石和ZnSiO4的量最佳的分布,从而达到提高峰值电流密度的目的。当Sb/Si的含量比处于0.5~2之间,Zn7Sb2O12尖晶石量和ZnSiO4的量有一个最佳的分布,比值接近1~1.5,此时产品的峰值电流密度有一个最大值。其峰值电流密度可达4500A/cm2,而且对产品的材料成本影响很小。

关键词： 压敏元件 氧化锌电阻 瓷料配方 尖晶石分布

作者: 唐斌 祝忠勇 陈加旺

作者单位: 广东风华高新科技股份有限公司,肇庆,526060

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会敏感技术分会第十四届电压敏学术年会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 49-50

在线出版日期: 2007-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）