K元素对氧化锌压敏电阻电性能的影响

摘要：

　　本文采用溶液添加法在中压压敏电阻中引入金属K+1离子，研究了不同含量的K+1对ZnO压敏电阻电性能的影响及其机理，认为K+1的存在对ZnO压敏电阻电性能是起积极作用的。

关键词： 压敏元件 氧化锌电阻 K+1离子 晶界稳定性

作者: 洪俊伟 章来平 邴绍同 孙丹峰

作者单位: 江苏净化工程技术研究中心,江苏,苏州,215011 苏州中普电子有限公司,江苏,苏州,215011

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会敏感技术分会第十四届电压敏学术年会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 63-67

在线出版日期: 2007-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）